SIHG47N60AEF-GE3 Vishay Siliconix
4.9 / 5.0 - (439 Mat)

SIHG47N60AEF-GE3

Vöruyfirlit

12787588

Völu númer

SIHG47N60AEF-GE3-DG

Framleiðandi

Vishay Siliconix
SIHG47N60AEF-GE3

Lýsing

MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC

Birgðir

400 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
N-Channel 600 V 40A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247AC
Einn FET, MOSFET
SIHG47N60AEF-GE3 Gögnablað
Magn
Minimum 1

Kaup og fyrirspurn

Fyrirspurn um tilboð

Þú getur sent fyrirspurn um RFQ beint á vöruupplýsingasíðunni eða RFQ síðunni. Söluteymið okkar mun svara beiðni þinni innan 24 tíma.

Greiðsluaðferð

Við bjóðum upp á nokkrar þægilegar greiðsluaðferðir, þar á meðal PayPal (mælt er með fyrir nýja viðskiptavini), kreditkort, og bankaskuldbindingar (T/T) með USD, EUR, HKD og öðrum.

Mikilvægt tilkynning

Eftir að þú sendir RFQ munt þú fá tölvupóst í innboxinu þínu um móttöku fyrirspurnar þinnar. Ef þú færð ekki póstinn gæti tölvupóstfangið okkar verið skráð sem ruslpóstur. Vinsamlegast athugaðu ruslpósts möppuna þína og bættu tölvupóstfangi okkar [email protected] við hvítlistann þinn til að tryggja að þú fáir tilboð okkar. Vegna möguleika á birgðar- og verðbreytingum þarf söluteymið okkar að staðfesta fyrirspurn þína eða pöntun og senda þér allar uppfærslur í tölvupósti án tafar. Ef þú hefur einhverjar aðrar spurningar eða þarft aðstoð, ekki hika við að láta okkur vita.

Á lager (Allar verð eru í USD)
  • Magn Markmiðsprís Heildarverð
  • 1 7.74 7.74
  • 25 6.18 154.48
  • 100 5.59 558.88
  • 500 4.88 2439.15
  • 1000 4.49 4485.92
  • 2000 4.07 8138.64
Betri verð með nettilboði
Óska eftir tilboði(Sendir á morgun)
Magn
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

SIHG47N60AEF-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi Vishay

Pakkning Tube

Röð EF

Staða vöru Active

FET gerð N-Channel

Tækni MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss) 600 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C 40A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 23.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs 189 nC @ 10 V

Vgs (hámark) ±30V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds 3576 pF @ 100 V

FET eiginleiki -

Afl leiðni (hámark) 313W (Tc)

Hitastig rekstrar -55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar Through Hole

Birgir tæki pakki TO-247AC

Pakki / hulstur TO-247-3

Grunnvörunúmer SIHG47

Gagnaablað & Skjöl

Gagnaplakks

Sækja SIHG47N60AEF-GE3 Vörupecification (PDF)
HTML upplýsingaskjal

SIHG47N60AEF-GE3-DG
Gagnablöð

SIHG47N60AEF

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Aukainformation

Venjulegur pakki
25
DIGI vottun
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
Tengdar vörur
Bloggar & Færslur
Nýjustu framfarir í samþættri hringrásartækni: Greining á fimm nýjustu tækni
Jan 18 2025
Framfarir í spraututækni: Nýstárleg notkun LTCC og hátíðni ómunbreytara
Jan 18 2025
Hringrásarvörn: Lykiltækni til að tryggja öryggi rafeindakerfa iðnaðar og bifreiða
Jan 18 2025